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2SD0874A(2SD874A)

更新时间： 2024-11-24 23:20:23
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描述
小信号デバイス － 小信号トランジスタ － 汎用低周波増幅

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2SD0874A(2SD874A) 数据手册

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トランジスタ  
2SD0874, 2SD0874A (2SD874, 2SD874A)  
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形  
低周 波電力増幅用  
Unit : mm  
2SB0766 (2SB766), 2SB0766A (2SB766A)とコンプリメンタリ  
4.5 0.1  
1.6 0.2  
1.5 0.1  
■ 特ꢀ長  
•
•
•
コレクタ損失PC が大きい  
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)が低い  
ミニ型パッケージのため機器の小形化およびテーピング，マ  
ガジン包装による自動挿入が可能  
3
1
2
0.4 0.08  
1.5 0.1  
0.5 0.08  
0.4 0.04  
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C  
3˚  
項目  
記号  
定格  
30  
60  
25  
50  
5
単位  
2SD0874  
2SD0874A  
2SD0874  
2SD0874A  
VCBO  
V
コレクタ・ベース間電圧  
45˚  
3.0 0.15  
(E開放時)  
VCEO  
V
コレクタ・エミッタ間  
1 : Base  
2 : Collector  
3 : Emitter  
電圧(B 開放時)  
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) VEBO  
V
A
MiniP3-F1 Package  
コレクタ電流  
尖頭コレクタ電流  
コレクタ損失  
合温度  
IC  
ICP  
PC  
Tj  
1
形名表示記号 :  
• 2SD0874 : Z  
1.5  
1
A
W
• 2SD0874A : Y  
接
150  
°C  
保存温度  
Tstg  
−55 ∼ +150  
°C  
注)  
: プリント基板のコレクタ部分の銅泊面  
積1 cm2以上，厚 み1.7 mm  
*
■ 電気的特性 Ta = 25°C 3°C  
項目  
記号  
条件  
IC = 10 µA, IE = 0  
最小 標準 最大  
単位  
2SD0874  
2SD0874A  
2SD0874  
2SD0874A  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
30  
60  
25  
50  
5
V
コレクタ・ベース間電圧  
(E開放時)  
IC = 2 mA, IB = 0  
V
コレクタ・エミッタ間  
電圧(B 開放時)  
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)  
IE = 10 µA, IC = 0  
V
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) ICBO  
VCB = 20 V, IE = 0  
VCE = 10 V, IC = 500 mA  
VCE = 5 V, IC = 1 A  
0.1  
µA  
1
2
*
*
直
流電流増幅率  
hFE1  
85  
340  
hFE2  
50  
1
*
コレクタ・エミッタ間飽和電圧  
VCE(sat) IC = 500 mA, IB = 50 mA  
VBE(sat) IC = 500 mA, IB = 50 mA  
0.2  
0.85  
200  
0.4  
1.2  
V
V
1
*
ベース・エミッタ間飽和電圧  
トランジション周 波数  
fT  
VCB = 10 V, IE = −50 mA, f = 200 MHz  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
MHz  
pF  
コレクタ出力容量(入力開放時)  
Cob  
20  
注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。  
2. 1 : パルス測定  
*
2 : ランク分類  
*
ランク  
Q
R
S
hFE1  
85 ∼ 170  
120 ∼ 240  
170 ∼ 340  
注) 形名の( )内は, 従来品  
番です  
発行年月 : 2002年11月  
SJC00197CJD  
1
123

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 		暂无描述
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