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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD0874
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2SD0874

更新时间： 2024-11-20 22:12:39
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
3页 83K
描述
Silicon NPN epitaxial planar type

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2SD0874 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.84外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

2SD0874 数据手册

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Transistors  
2SD0874, 2SD0874A (2SD874, 2SD874A)  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For low-frequency power amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SB0766 (2SB766) and 2SB0766A (2SB766A)  
4.5 0.1  
1.6 0.2  
■ Features  
1.5 0.1  
• Large collector power dissipation PC  
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
• Mini power type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine packing  
3
1
2
0.4 0.08  
1.5 0.1  
0.5 0.08  
0.4 0.04  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
3˚  
2SD0874  
2SD0874A  
2SD0874  
2SD0874A  
VCBO  
30  
V
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
60  
45˚  
3.0 0.15  
VCEO  
25  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
50  
1: Base  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
5
V
A
2: Collector  
3: Emitter  
MiniP3-F1 Package  
Collector current  
IC  
ICP  
PC  
Tj  
1
Peak collector current  
Collector power dissipation *  
Junction temperature  
Storage temperature  
1.5  
A
Marking Symbol:  
• 2SD0874: Z  
• 2SD0874A: Y  
1
W
°C  
°C  
150  
Tstg  
−55 to +150  
Note) : Printed circuit board: Copper foil area of 1 cm2 or more, and the  
*
board thickness of 1.7 mm for the collector portion  
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
IC = 10 µA, IE = 0  
Min  
30  
60  
25  
50  
5
Typ  
Max  
Unit  
2SD0874  
2SD0874A  
2SD0874  
2SD0874A  
VCBO  
V
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
VCEO  
IC = 2 mA, IB = 0  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
VEBO  
ICBO  
IE = 10 µA, IC = 0  
V
µA  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
VCB = 20 V, IE = 0  
VCE = 10 V, IC = 500 mA  
VCE = 5 V, IC = 1 A  
0.1  
1
2
Forward current transfer ratio *  
hFE1  
hFE2  
85  
50  
340  
*
1
Collector-emitter saturation voltage *  
VCE(sat) IC = 500 mA, IB = 50 mA  
VBE(sat) IC = 500 mA, IB = 50 mA  
0.2  
0.85  
200  
0.4  
1.2  
V
V
1
Base-emitter saturation voltage *  
Transition frequency  
fT  
VCB = 10 V, IE = −50 mA, f = 200 MHz  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
20  
(Common base, input open circuited)  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
2: Rank classification  
*
Rank  
Q
R
S
hFE1  
85 to 170  
120 to 240  
170 to 340  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
Publication date: November 2002  
SJC00197CED  
1
123

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2SD0874 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BCX68-25 INFINEON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD0874(2SD874) ETC

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 		小信号デバイス － 小信号トランジスタ － 汎用低周波増幅
2SD0874/2SD0874A(2SD874/2SD874A) ETC

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 		2SD0874. 2SD0874A (2SD874. 2SD874A) - NPN Transistor
2SD0874A PANASONIC

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 		Silicon NPN epitaxial planar type
2SD0874A(2SD874A) ETC

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 		小信号デバイス － 小信号トランジスタ － 汎用低周波増幅
2SD0874AQ ETC

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 		BJT
2SD0874AR ETC

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 		BJT
2SD0874AS ETC

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 		BJT
2SD0874G PANASONIC

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 		暂无描述
2SD0874GQ PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP
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