2SD0814

更新时间： 2024-11-24 22:12:39

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描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For high breakdown voltage low-frequency and low-noise amplification)

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2SD0814 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.83
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz

2SD0814 数据手册

Transistor

2SD814, 2SD814A

Silicon NPN epitaxial planer type

For high breakdown voltage low-frequency and low-noise

amplification

Unit: mm

2.8 ⁺^–0⁰^.^.³²

1.5 ⁺^–0⁰^.^.⁰²⁵⁵

Features

High collector to emitter voltage V_CEO

■

●

0.65±0.15

●

Low noise voltage NV.

Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

Ratings

150

Unit

Collector to

2SD814

2SD814A

2SD814

V_CBO

0.1 to 0.3

base voltage

Collector to

185

0.4±0.2

150

V_CEO

emitter voltage 2SD814A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

185

V_EBO

I_CP

I_C

˚C

1:Base

2:Emitter

3:Collector

JEDEC:TO–236

EIAJ:SC–59

Mini Type Package

100

(2SD814)

Marking symbol : P

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

200

(2SD814A)

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

Collector cutoff current

V_CB= 100V, I_E= 0

µA

Collector to emitter 2SD814

150

185

V_CEO

I_C= 100µA, I_B= 0

voltage

2SD814A

Emitter to base voltage

V_EBO

I_E= 10µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CE= 5V, I_C= 10mA

I_C= 30mA, I_B= 3mA

330

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

MHz

Transition frequency

f_T

V_CB= 10V, I_E= –10mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

150

2.3

Collector output capacitance

C_ob

V_CE= 10V, I_C= 1mA, G_V= 80dB

R_g= 100kΩ, Function = FLAT

Noise voltage

150

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

90 ~ 155

130 ~ 220

185 ~ 330

2SD814

Marking

Symbol

2SD814A

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