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2SD0662B(2SD662B)

更新时间： 2024-11-20 23:20:23

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描述
小信号デバイス－小信号トランジスタ－汎用低周波増幅

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トランジスタ

2SD0662, 2SD0662B (2SD662, 2SD662B)

シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形

高耐圧一般増幅用

Unit : mm

2.5 0.1

6.9 0.1

(1.5)

(1.0)

(1.5)

■ 特ꢀ長

•

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時)V_CEOが高い

トランジション周波数f_Tが高い

R 0.9

R 0.7

M型パッケージで自動挿入，手挿入が容易，P板に自立固

定で

きる

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

(0.85)

0.45 0.05

項目

記号

定格

250

400

200

400

単位

0.55 0.1

2SD0662

2SD0662B

2SD0662

2SD0662B

V_CBO

コレクタ・ベース間電圧

(E開放時)

V_CEO

コレクタ・エミッタ間

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

(2.5) (2.5)

電圧(B 開放時)

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) V_EBO

M-A1 Package

コレクタ電流

コレクタ損失

合温度

I_C

P_C

T_j

600

接

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

■ 電気的特性 T_a= 25°C 3°C

項目

記号

条件

最小標準最大

単位

2SD0662

V_CEO

I_C= 100 µA, I_B= 0

200

400

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

2SD0662B

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)

コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)

流電流増幅率

V_EBO

I_CEO

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CE= 100 V, I_B= 0

V_CE= 10 V, I_C= 5 mA

µA

直

h_FE

220



コレクタ・エミッタ間飽和電圧

トランジション周波数

V_CE(sat)I_C= 50 mA, I_B= 5 mA

1.2

f_T

V_CB= 10 V, I_E= −10 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

MHz

コレクタ出力容量(入力開放時)

C_ob

注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

2. : ランク分類

ランク

h_FE

30 ∼ 100

60 ∼ 150

100 ∼ 220

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

発行年月 : 2002年11月

SJC00195BJD

12 3

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