5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SD0638/2SD0639(2SD638/2SD639)
2SD0638/2SD0639(2SD638/2SD639) PDF预览

2SD0638/2SD0639(2SD638/2SD639)

更新时间： 2024-11-24 23:20:23
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 67K
描述
2SD0638. 2SD0639 (2SD638. 2SD639) - NPN Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SD0638/2SD0639(2SD638/2SD639) 数据手册

 浏览型号2SD0638/2SD0639(2SD638/2SD639)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD0638/2SD0639(2SD638/2SD639)的Datasheet PDF文件第3页 
Transistor  
2SD0638, 2SD0639 (2SD638, 2SD639)  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For medium-power general amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SB0643 (2SB643) and 2SB0644 (2SB644)  
6.9 0.1  
2.5 0.1  
1.0  
1.5  
1.5 R0.9  
Features  
I
G
R0.9  
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
G
M type package allowing easy automatic and manual insertion as  
well as stand-alone fixing to the printed circuit board.  
R0.7  
0.85  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
I
0.55 0.1  
0.45 0.05  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Collector to  
2SD0638  
2SD0639  
2SD0638  
30  
VCBO  
V
3
2
1
base voltage  
Collector to  
60  
25  
VCEO  
V
emitter voltage 2SD0639  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
50  
2.5  
2.5  
VEBO  
ICP  
IC  
7
V
A
1:Base  
1
0.5  
2:Collector  
3:Emitter  
EIAJ:SC–71  
M Type Mold Package  
A
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
600  
mW  
˚C  
˚C  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
0.1  
1
Unit  
µA  
VCB = 20V, IE = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = 20V, IB = 0  
µA  
Collector to base  
voltage  
2SD0638  
2SD0639  
30  
60  
25  
50  
7
VCBO  
IC = 10µA, IE = 0  
V
Collector to emitter 2SD0638  
VCEO  
VEBO  
IC = 2mA, IB = 0  
V
V
voltage  
2SD0639  
Emitter to base voltage  
IE = 10µA, IC = 0  
*1  
hFE1  
hFE2  
VCE = 10V, IC = 10mA  
VCE = 10V, IC = 500mA*2  
IC = 300mA, IB = 30mA  
85  
40  
160  
90  
340  
0.6  
15  
Forward current transfer ratio  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
0.35  
200  
6
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
VCB = 10V, IE = –50mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
*2 Pulse measurement  
*1  
h
FE1  
Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
R
S
Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional  
part number.  
85 ~ 170  
120 ~ 240  
170 ~ 340  
1
123

中文翻译

下载PDF

与2SD0638/2SD0639(2SD638/2SD639)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD0638Q ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71
2SD0638R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71
2SD0638S ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71
2SD0639Q PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, M-A1, 3
2SD0639R PANASONIC

获取价格

 		暂无描述
2SD0639S ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71
2SD0661 PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
2SD0661A PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
2SD0661AR PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
2SD0661AS PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC

与2SD0638/2SD0639(2SD638/2SD639)相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证