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2SD0661

更新时间： 2024-11-25 19:59:59

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	49K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, SC-71, 3 PIN

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2SD0661 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-71
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	210	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SD0661 数据手册

Transistor

2SD661, 2SD661A

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-frequency and low-noise amplification

Unit: mm

6.9±0.1

2.5±0.1

1.5

1.5 R0.9

1.0

R0.9

Features

Low noise voltage NV.

■

●

High foward current transfer ratio h_FE

R0.7

●

M type package allowing easy automatic and manual insertion as

well as stand-alone fixing to the printed circuit board.

0.85

0.55±0.1

0.45±0.05

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Collector to

2SD661

V_CBO

2SD661A

2SD661

base voltage

Collector to

2.5

V_CEO

emitter voltage 2SD661A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

1:Base

V_EBO

I_CP

I_C

˚C

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–71

M Type Mold Package

200

100

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

400

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

0.1

Unit

µA

V_CB= 20V, I_E= 0

Collector cutoff current

I_CEO

V_CE= 20V, I_B= 0

µA

Collector to base

voltage

2SD661

2SD661A

V_CBO

I_C= 10µA, I_E= 0

Collector to emitter 2SD661

V_CEO

V_EBO

I_C= 2mA, I_B= 0

voltage

2SD661A

Emitter to base voltage

I_E= 10µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE

_CE= 10V, I_C= 2mA

210

650

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= 100mA, I_B= 10mA

Transition frequency

f_T

V_CB= 10V, I_E= –2mA, f = 200MHz

V_CE= 10V, I_C= 1mA, G_V= 80dB

R_g= 100kΩ, Function = FLAT

200

MHz

Noise voltage

150

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

210 ~ 340

290 ~ 460

360 ~ 650

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SD0661AR	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
2SD0661AS	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
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