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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-71 |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 55 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 210 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD0661AS | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| 2SD0661AT | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| 2SD0661R | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| 2SD0661S | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| 2SD0661T | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| 2SD0662 | PANASONIC |
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For High Breakdown Voltage General Amplification |
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| 2SD0662(2SD662) | ETC |
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小信号デバイス － 小信号トランジスタ － 汎用低周波増幅 |
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| 2SD0662/2SD0662B(2SD662/2SD662B) | ETC |
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2SD0662. 2SD0662B (2SD662. 2SD662B) - NPN Transistor |
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| 2SD0662B | PANASONIC |
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For High Breakdown Voltage General Amplification |
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| 2SD0662B(2SD662B) | ETC |
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小信号デバイス － 小信号トランジスタ － 汎用低周波増幅 |
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