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2SD0638(2SD638)

更新时间： 2024-11-24 23:20:23

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小信号デバイス－小信号トランジスタ－汎用低周波増幅

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2SD0638(2SD638) 数据手册

トランジスタ

2SD0638 (2SD638)

シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形

中電力一般増幅用

Unit : mm

2SB0643 (2SB643)とコンプリメンタリ

2.5 0.1

6.9 0.1

(1.5)

(1.0)

(1.5)

■ 特ꢀ長

R 0.9

•

コレクタ・エミッタ間飽和電圧 V_CE(sat)が低い

M型パッケージで自動挿入，手挿入が容易，P板に自立固

きる

R 0.7

定で

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

(0.85)

0.45 0.05

項目

記号

定格

単位

0.55 0.1

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) V_CBO

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) V_EBO

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

(2.5) (2.5)

コレクタ電流

I_C

I_CP

P_C

T_j

0.5

尖頭コレクタ電流

M-A1 Package

コレクタ損失

600

接

合温度

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

■ 電気的特性 T_a= 25°C 3°C

項目

記号

条件

最小標準最大

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時)

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) I_CBO

V_CB= 20 V, I_E= 0

V_CE= 20 V, I_B= 0

V_CE= 10 V, I_C= 10 mA

V_CE= 10 V, I_C= 500 mA

0.1

µA

コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)

I_CEO

直

流電流増幅率

h_FE1

340

0.6



h_FE2

0.35

200

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

トランジション周波数

V_CE(sat)I_C= 300 mA, I_B= 30 mA

MHz

f_T

V_CB= 10 V, I_E= −50 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

コレクタ出力容量(入力開放時)

C_ob

注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

2. : ランク分類

ランク

h_FE1

85 ∼ 170

120 ∼ 240

170 ∼ 340

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

発行年月 : 2002年11月

SJC00193BJD

12 3

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2SD0639Q	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, M-A1, 3
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2SD0661	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
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