5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SC6025
2SC6025 PDF预览

2SC6025

更新时间： 2024-11-01 07:31:15
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 振荡器晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 65K
描述
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to C Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SC6025 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.035 A
基于收集器的最大容量：0.7 pF集电极-发射极最大电压：3.5 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：80
最高频带：C BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.12 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：21000 MHz
Base Number Matches：1

2SC6025 数据手册

 浏览型号2SC6025的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC6025的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC6025的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SC6025的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SC6025的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SC6025的Datasheet PDF文件第7页 
Ordering number : ENN8144  
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor  
UHF to C Band Low-Noise Amplifier  
and OSC Applications  
2SC6025  
Features  
•
Low-noise use  
: NF=1.2dB typ (f=2GHz).  
•
High cut-off frequency : f =14GHz typ (V =1V).  
T
CE  
: f =21GHz typ (V =3V).  
T
CE  
•
•
Low operating voltage.  
High gain  
:
S21e 2=12.5dB typ (f=2GHz).  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
9
3.5  
2
V
V
I
35  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Collector Dissipation  
P
120  
150  
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
1.0  
1
I
V
CB  
V
EB  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
V
CB  
V
CB  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
=5V, I =0  
µA  
µA  
CBO  
E
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
=1V, I =0  
C
EBO  
h
=3V, I =15mA  
80  
18  
160  
FE  
f 1  
C
=1V, I =5mA  
14  
21  
GHz  
GHz  
pF  
T
C
Gain-Bandwidth Product  
f 2  
T
=3V, I =15mA  
C
Output Capacitance  
Cob  
=1V, f=1MHz  
=1V, f=1MHz  
0.55  
0.25  
10.5  
12.5  
1.2  
0.7  
Reverse Transfer Capacitance  
Cre  
pF  
S21e 21  
S21e 22  
NF  
=1V, I =5mA, f=2GHz  
C
9
dB  
Forward Transfer Gain  
Noise Figure  
=3V, I =15mA, f=2GHz  
C
dB  
=1V, I =5mA, f=2GHz  
dB  
C
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
31005AB TS IM TB-00000433  
No.8144-1/15  
1234567...15

中文翻译

下载PDF

与2SC6025相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC6026 TOSHIBA

获取价格

 		Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) General-Purpose Amplifier Applications
2SC6026(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
2SC6026CT TOSHIBA

获取价格

 		General Purpose Amplifier Applications
2SC6026CT-GR TOSHIBA

获取价格

 		暂无描述
2SC6026CT-GR(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SMT
2SC6026CT-Y TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
2SC6026CT-Y(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		Bipolar Transistors 100mA 50V
2SC6026-GR TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-1E1A, FSM, 3 PIN,
2SC6026-GR(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SMT
2SC6026MFV TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

与2SC6025相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证