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2SC5877STPQ

更新时间： 2024-02-01 23:03:25

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	98K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPT, 3 PIN

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2SC5877STPQ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5877STPQ 数据手册

2SC5877S

Transistors

Power transistor (60V, 0.5A)

2SC5877S

!External dimensions (Unit : mm)

!Features

1) High speed switching.

(Tf : Typ. : 80ns at IC = 500mA)

2) Low saturation voltage, typically

4.0

2.0

SPT

0.45

2.5

(Typ. 150mV at IC = 100mA, IB = 10mA)

3) Strong discharge power for inductive load and

capacitance load.

0.5

0.45

5.0

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

4) Complements the 2SA2089S

Taping specifications

(1) (2) (3)

Symbol : C5877S

!Applications

Small signal low frequency amplifier

High speed switching

!Structure

NPN Silicon epitaxial planar transistor

!Packaging specifications

Package

Taping

Code

Type

Basic ordering unit (pieces)

5000

2SC5877S

!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Limits

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

Collector current

0.5

1.0

300

150

∗1

Pulsed

°C

Power dissipation

Junction temperature

Tstg

Range of storage temperature

−55 to 150

∗Pw=10ms

1/3

12 3 4

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