5秒后页面跳转
2SC5876T106R PDF预览

2SC5876T106R

更新时间: 2024-02-18 12:07:19
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 934K
描述
Medium power transistor (60V, 0.5A)

2SC5876T106R 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SC-70
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:1.27最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):180JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e1湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):300 MHz最大关闭时间(toff):210 ns
最大开启时间(吨):70 nsBase Number Matches:1

2SC5876T106R 数据手册

 浏览型号2SC5876T106R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC5876T106R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC5876T106R的Datasheet PDF文件第4页 
Medium power transistor (60V, 0.5A)  
2SC5876  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) High speed switching. (Tf : Typ. : 80ns at IC = 500mA)  
2) Low saturation voltage, typically  
(Typ. : 150mV at IC = 100mA, IB = 10mA)  
3) Strong discharge power for inductive load and  
capacitance load.  
UMT3  
1.25  
2.1  
4) Complements the 2SA2088  
0.1Min.  
Each lead has same dimensions  
(1)Emitter  
(2)Base  
(3)Collector  
Abbreviated symbol : VS  
Applications  
Small signal low frequency amplifier  
High speed switching  
Structure  
NPN Silicon epitaxial planar transistor  
Packaging specifications  
Package  
Code  
Taping  
T106  
Type  
Basic ordering unit  
(pieces)  
3000  
2SC5876  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
60  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
V
A
A
60  
6
I
C
0.5  
1.0  
Collector current  
Power dissipation  
1
2
I
CP  
PC  
200  
mW  
Junction temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Range of storage temperature  
Tstg  
55 to +150  
1 Pw=10ms  
2 Each terminal mounted on a recommended land.  
www.rohm.com  
2011.03 - Rev.B  
1/3  
c
2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  

2SC5876T106R 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC5876T106Q ROHM

类似代替

Medium power transistor (60V, 0.5A)

与2SC5876T106R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5876U3 ROHM

获取价格

开关速度快,是低频放大、高速开关用晶体管。
2SC5876U3HZG ROHM

获取价格

开关速度快,是低频放大、高速开关用晶体管。
2SC5877S ROHM

获取价格

Power transistor (60V, 0.5A)
2SC5877STPQ ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPT, 3
2SC588 NJSEMI

获取价格

Electrical characterlitics
2SC5880 ROHM

获取价格

Power transistor (60V, 2A)
2SC5880_1 ROHM

获取价格

Power transistor (60V, 2A)
2SC5880_11 ROHM

获取价格

Power transistor (60V, 2A)
2SC5880TV2Q ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATV, 3 PI
2SC5881 ROHM

获取价格

Power transistor (60V, 5A)