Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5409-T1

2SC5409-T1

更新时间： 2024-11-23 22:52:47

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
8页	41K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

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2SC5409-T1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	基于收集器的最大容量：	0.3 pF
集电极-发射极最大电压：	3 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	1	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	16000 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5409-T1 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC5409

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

FEATURE

PACKAGE DIMENSIONS (in mm)

•

High fT

16 GHz TYP.

2.1±0.1

•

High gain

|S^21e|²= 14 dB TYP.

1.25±0.1

@f = 2 GHz, V^CE= 2 V, IC = 20 mA

NF = 1.1 dB, @f = 2 GHz V^CE= 2 V, IC = 3 mA

6-pin Small Mini Mold Package

•

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SC5409-T1

QUANTITY

3 kpcs/reel

PACKING STYLE

8-mm wide emboss taping, 6-pin

(collector) feed hole direction

Remark To order evaluation samples, consult your NEC sales person-

nel (supported in 50-pcs units).

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PIN CONNECTIONS

E: Emitter

C: Collector

B: Base

PARAMETER

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

°C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

150

Tstg

–65 to +150

Because this product uses high-frequency process, avoid excessive input of static electricity, etc.

Document No. P12096EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 1997 N

Printed in Japan

1997

12 3 4 5 6 7 8

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