2SC5412

更新时间： 2024-11-23 22:52:47

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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描述
Silicon NPN triple diffusion mesa type

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2SC5412 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3E
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5412 数据手册

Power Transistors

2SC5412

Silicon NPN triple diffusion mesa type

For horizontal deflection output

Unit: mm

15.5±0.5

3.0±0.3

5°

φ3.2±0.1

Features

■

5°

●

High breakdown voltage, and high reliability through the use of a

glass passivation layer

●

High-speed switching

5°

●

Wide area of safe operation (ASO)

5°

4.0

2.0±0.2

1.1±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

0.7±0.1

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

5.45±0.3

Collector to base voltage

1700

5°

Collector to emitter voltage

600

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

1:Base

2:Collector

3:Emitter

I_C

TOP–3E Full Pack Package

Base current

I_B

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

_CB= 1000V, I_E= 0

Collector cutoff current

V_CB= 1700V, I_E= 0

V_EB= 5V, I_C= 0

µA

Emitter cutoff current

I_EBO

h_FE

Forward current transfer ratio

V_CE= 5V, I_C= 2.5A

I_C= 2.5A, I_B= 625mA

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

1.5

Transition frequency

Storage time

f_T

t_stg

t_f

V_CE= 10V, I_C= 0.1A, f = 0.5MHz

MHz

µs

4.0

0.3

I_C= 2.5A, I_B1= 625mA, I_B2= 1.25A

Fall time

µs

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