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2SC5417

更新时间： 2024-11-23 22:52:47
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO /
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
Inverter Lighting Applications

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2SC5417 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220FI
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.76Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SC5417 数据手册

 浏览型号2SC5417的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC5417的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC5417的Datasheet PDF文件第4页 
Ordering number : EN5817  
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
2SC5417  
Inverter Lighting Applications  
Features  
• High breakdown voltage.  
Package Dimensions  
unit: mm  
• High reliability (Adoption of HVP process).  
• Adoption of MBIT process.  
2079B-TO220FI (LS)  
[2SC5417]  
4.5  
10.0  
2.8  
3.2  
0.9  
1.2  
0.7  
0.75  
1 : Base  
1
2
3
2 : Collector  
3 : Emitter  
SANYO : TO220FI (LS)  
2.55  
2.55  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
1200  
CBO  
CEO  
EBO  
600  
V
9
V
I
C
I
3
A
Collector Current (Pulse)  
Collector Dissipation  
6
A
CP  
P
2
25  
W
W
°C  
°C  
C
Tc=25°C  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
=600V, I =0  
Unit  
min  
typ  
max  
Collector Cutoff Current  
Collector Cutoff Current  
Collector Sustain Voltage  
Emitter Cutoff Current  
C-E Saturation Voltage  
B-E Saturation Voltage  
DC Current Gain  
I
I
V
V
10  
µA  
mA  
V
CBO  
CES  
CB  
CE  
E
=1200V, R =0  
1.0  
BE  
V
I =100mA, I =0  
600  
CEO(sus)  
EBO  
C
V
B
I
=9V, I =0  
1.0  
1.0  
1.5  
50  
mA  
V
EB  
C
V
V
I =1.5A, I =0.3A  
C B  
CE(sat)  
BE(sat)  
FE(1)  
FE(2)  
stg  
I =1.5A, I =0.3A  
V
C
V
B
h
h
=5V, I =0.1A  
30  
10  
40  
CE  
CE  
C
V
=5V, I =1.0A  
C
Storage Time  
Fall Time  
t
t
I =1.5A, I =0.3A, I =–0.6A  
2.5  
µs  
µs  
C
B1 B2  
I =1.5A, I =0.3A, I =–0.6A  
0.15  
f
C
B1 B2  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
51598TS (KOTO) TA-1043 No.5817-1/4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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