2SC5419Q

更新时间： 2024-11-23 23:20:23

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管
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2页	42K
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TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| SC-71VAR

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2SC5419Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.07 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5419Q 数据手册

Transistor

2SC5419

Silicon NPN triple diffusion planer type

For low-frequency output amplification

Unit: mm

2.5±0.1

1.05

±0.05

6.9±0.1

4.0

(1.45)

0.8

0.7

Features

High collector to emitter voltage V_CEO

■

●

High transition frequency f_T.

Allowing supply with the radial taping.

0.65 max.

0.45⁺–0⁰.^.0¹5

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

2.5±0.5 2.5±0.5

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

300

100

Note: In addition to the

lead type shown in

1:Emitter

2:Collector

the upper figure, the 3:Base

I_C

type as shown in

the lower figure is

also available.

MT2 Type Package

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

1.0

T_j

150

˚C

T_stg

–55 ~ +150

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

1.2±0.1

0.65

max.

0.1

0.45_–0.05

(HW type)

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CEO

Conditions

V_CE= 120V, I_B= 0

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CEO

V_EBO

I_C= 100µA, I_B= 0

300

I_E= 1µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CE= 10V, I_C= 5mA

220

1.2

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= 50mA, I_B= 5mA

V_CB= 10V, I_E= –10mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

MHz

Transition frequency

f_T

Collector output capacitance

C_ob

Rank classification

Rank

h_FE

30 ~ 100

60 ~ 150

100 ~ 220

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5419R	PANASONIC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| SC-71VAR
2SC5420	SANYO	获取价格	Inverter Lighting Applications
2SC5421	TOSHIBA	获取价格	NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR MEDIUM RESOLUTION DISPLAY,
2SC5422	TOSHIBA	获取价格	NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR MEDIUM RESOLUTION DISPLAY,
2SC5423	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output)
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