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2SC5432-FB-A

更新时间： 2024-11-27 15:28:11

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	56K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3

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2SC5432-FB-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.62	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	1.5 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4500 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5432-FB-A 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON RF TRANSISTOR

2SC5432

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

FLAT-LEAD 3-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD

FEATURES

•

Contains same chip as 2SC5006

Flat-lead 3-pin thin-type ultra super minimold package

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

Supplying Form

2SC5432

50 pcs (Non reel)

3 kpcs/reel

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 3 (collector) face the perforation side of the tape

2SC5432-T1

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

The unit sample quantity is 50 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= +25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Ratings

Unit

100

°C

tot ^Note

125

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T^j

150

T^stg

−65 to +150

Note Free air

Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that

this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices

representative for availability and additional information.

Document No. PU10100EJ01V0DS (1st edition)

The mark • shows major revised points.

(Previous No. P13076EJ1V0DS00)

Date Published February 2002 CP(K)

Printed in Japan

NEC Corporation 1998

NEC Compound Semiconductor Devices 2002

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5432FB-T1-A	NEC	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR
2SC5432-T1	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5432-T1	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
2SC5432-T1-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5432-T1EB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5432-T1-EB	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5432-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5432-T1-FB	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5432-T1FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5433	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

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