2SC5434

更新时间： 2024-11-23 22:52:47

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
8页	63K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

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2SC5434 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.035 A
基于收集器的最大容量：	0.7 pF	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5434 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC5434

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

FEATURE

PACKAGE DIMENSIONS (in mm)

•

Ultra super mini-mold thin flat package

1.4 ± 0.05

0.8 ± 0.1

(1.4 mm × 1.8 mm × 0.59 mm: TYP.)

•

Contains same chip as 2SC5008

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

1.5

°C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

125

150

PIN CONNECTIONS

1: Emitter

Tstg

–65 to +150

2: Base

3: Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)

PARAMETER

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

SYMBOL

ICBO

TEST CONDITIONS

VCB = 10 V, IE = 0

MIN.

TYP.

MAX.

1000

145

UNIT

IEBO

VEB = 1 V, IC = 0

hFE

VCE = 3 V, IC = 5 mA^{Note 1}

VCE = 3 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

VCB = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz^{Note 2}

VCE = 3 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

Gain Bandwidth Product

Reverse Transfer Capacitance

Insertion Power Gain

Noise Figure

5.5

0.3

7.5

1.9

GHz

Cre

0.7

3.2

|S21e|²

5.5

Notes 1. Pulse measurement PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %

2. Collector to base capacitance measured by capacitance meter (automatic balance bridge method) when

emitter pin is connected to the guard pin.

Because this product uses high-frequency process, avoid excessive input of static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. P13145EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published February 1998 N CP(K)

Printed in Japan

1998

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5434(NE680M03)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5434-A	RENESAS	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
2SC5434-EB	RENESAS	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
2SC5434-EB-A	NEC	获取价格	暂无描述
2SC5434-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SU
2SC5434-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SU
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