Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5435-FB-A

2SC5435-FB-A

更新时间： 2024-11-24 13:04:19

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
8页	61K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC5435-FB-A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.26	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
基于收集器的最大容量：	0.7 pF	集电极-发射极最大电压：	6 V
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	12000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5435-FB-A 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC5435

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

FEATURE

PACKAGE DIMENSIONS (in mm)

•

Ultra super mini-mold thin flat package

1.4 ± 0.05

0.8 ± 0.1

(1.4 mm × 0.8 mm × 0.59 mm: TYP.)

•

Contains same chip as 2SC5010

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

°C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

125

150

PIN CONNECTIONS

1: Emitter

Tstg

–65 to +150

2: Base

3: Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)

PARAMETER

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

SYMBOL

ICBO

TEST CONDITIONS

VCB = 5 V, IE = 0

MIN.

TYP.

MAX.

100

UNIT

IEBO

VEB = 1 V, IC = 0

100

hFE

VCE = 3 V, IC = 10 mA^{Note 1}

VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

VCB = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz^{Note 2}

VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

VCE = 3 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

140

Gain Bandwidth Product

Reverse Transfer Capacitance

Insertion Power Gain

Noise Figure

12.0

0.4

GHz

Cre

0.7

2.5

|S21e|²

7.0

8.5

1.5

Notes 1. Pulse measurement PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %

2. Collector to base capacitance measured by capacitance meter (automatic balance bridge method) when

emitter pin is connected to the guard pin.

Because this product uses high-frequency process, avoid excessive input of static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. P13078EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published February 1998 N CP(K)

Printed in Japan

1998

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与2SC5435-FB-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5435FB-T1	NEC	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,6V V(BR)CEO,30MA I(C),SMT
2SC5435-T1-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
2SC5435-T1EB	RENESAS	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
2SC5435-T1EB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
2SC5435-T1FB	RENESAS	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
2SC5435-T1FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
2SC5436	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR ULTRA SUPER MINI MOLD FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIF
2SC5436(NE687M03)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5436-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
2SC5436-EB-A	NEC	获取价格	暂无描述

与2SC5435-FB-A相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

38
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

30
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

58
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5435-FB-A

2SC5435-FB-A 技术参数

2SC5435-FB-A 数据手册

与2SC5435-FB-A相关器件

与2SC5435-FB-A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5435-FB-A

2SC5435-FB-A 技术参数

2SC5435-FB-A 数据手册

与2SC5435-FB-A相关器件

与2SC5435-FB-A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？