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2SC5436FB

更新时间： 2024-11-20 00:04:31
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
12页 78K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR ULTRA SUPER MINI MOLD FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

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2SC5436FB 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.72
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.03 A
基于收集器的最大容量：0.8 pF集电极-发射极最大电压：3 V
配置：SINGLE最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：14000 MHz
Base Number Matches：1

2SC5436FB 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
2SC5436  
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
ULTRA SUPER MINI MOLD FOR HIGH-FREQUENCY  
LOW-NOISE AMPLIFICATION  
FEATURE  
PACKAGE DIMENSIONS (in mm)  
•
Ultra super mini-mold thin flat package  
1.4 ± 0.05  
0.8 ± 0.1  
(1.4 mm × 0.8 mm × 0.59 mm: TYP.)  
•
Contains same chip as 2SC5186  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
2
1
PARAMETER  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
3
5
3
V
2
V
30  
90  
mA  
mW  
°C  
°C  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PT  
Tj  
150  
PIN CONNECTIONS  
1: Emitter  
Tstg  
–65 to +150  
2: Base  
3: Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)  
PARAMETER  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITIONS  
VCB = 5 V, IE = 0  
MIN.  
70  
TYP.  
MAX.  
100  
100  
130  
0.8  
UNIT  
nA  
IEBO  
VEB = 1 V, IC = 0  
nA  
hFE  
VCE = 2 V, IC = 20 mANote 1  
Reverse Transfer Capacitance  
Gain Bandwidth Product (1)  
Gain Bandwidth Product (2)  
Insertion Power Gain (1)  
Insertion Power Gain (2)  
Noise Figure (1)  
Cre  
VCB = 2 V, IE = 0, f = 1 MHzNote 2  
VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz  
VCE = 1 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz  
VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz  
VCE = 1 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz  
VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz  
VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz  
0.4  
14.0  
12.0  
10.0  
9.0  
pF  
GHz  
GHz  
dB  
fT (1)  
9.0  
7.0  
8.5  
6.0  
fT (2)  
|S21e|2 (1)  
|S21e|2 (2)  
NF (1)  
NF (2)  
dB  
1.4  
2.0  
2.0  
dB  
Noise Figure (2)  
1.4  
dB  
Notes 1. Pulse measurement PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %  
2. Collector to base capacitance measured by capacitance meter (automatic balance bridge method) when  
emitter pin is connected to the guard pin.  
Because this product uses high-frequency process, avoid excessive input of static electricity, etc.  
The information in this document is subject to change without notice.  
Document No. P13079EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published February 1998 N CP(K)  
Printed in Japan  
1998  
©
1234567...12

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与2SC5436FB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5436-FB NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
2SC5436-FB-A NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
2SC5436FB-T1 NEC

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,3V V(BR)CEO,30MA I(C),SMT
2SC5436FB-T1-A NEC

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 		NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
2SC5437(NE688M03) ETC

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 		Discrete
2SC5437-A NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPE
2SC5437-EB NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPE
2SC5437-EB-A NEC

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 		L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3

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