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2SC5442

更新时间： 2024-02-14 23:14:35
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2SC5442 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3L
包装说明：TOP3L, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：100 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

2SC5442 数据手册

 浏览型号2SC5442的Datasheet PDF文件第2页 
Power Transistors  
2SC5442, 2SC5442A  
Silicon NPN triple diffusion mesa type  
For horizontal deflection output  
Unit: mm  
φ 3.3±0.2  
5.0±0.3  
20.0±0.5  
3.0  
Features  
■
●
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a  
glass passivation layer  
●
High-speed switching  
●
1.5  
Wide area of safe operation (ASO)  
1.5  
2.0±0.3  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
2.7±0.3  
3.0±0.3  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCES  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
1.0±0.2  
0.6±0.2  
Collector to base voltage  
1500  
1500  
V
5.45±0.3  
Collector to emitter voltage  
10.9±0.5  
600  
V
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
5
V
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
20  
A
1
2
3
IC  
15  
A
TOP–3L Package  
Base current  
IB  
8
100  
A
Collector power TC=25°C  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
3.5  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
50  
1
Unit  
µA  
Collector cutoff  
2SC5442  
VCB = 1000V, IE = 0  
current  
2SC5442A  
VCB = 1500V, IE = 0  
mA  
µA  
Emitter cutoff current  
IEBO  
hFE  
VEB = 5V, IC = 0  
50  
12  
3
Forward current transfer ratio  
VCE = 5V, IC = 7.5A  
5
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = 7.5A, IB = 1.88A  
IC = 7.5A, IB = 1.88A  
VCE = 10V, IC = 0.1A, f = 0.5MHz  
V
V
1.5  
Transition frequency  
Storage time  
fT  
tstg  
tf  
3
MHz  
µs  
3.0  
0.2  
IC = 7.5A, IB1 = 1.88A, IB2 = –3.76A  
Fall time  
µs  
1
12

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