Datasheet > 2SC5455FB

2SC5455FB

更新时间： 2024-11-20 21:11:59

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	81K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-4

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC5455FB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	0.7 pF
集电极-发射极最大电压：	6 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	12000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5455FB 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC5455

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

4-PIN MINI MOLD

FEATURE

PACKAGE DIMENSIONS (in mm)

•

Ideal for medium-output applications

High gain, low noise

+0.2

–0.3

+0.2

–0.1

2.8

1.5

Small reverse transfer capacitance

Can operate at low voltage

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

5°

100

°C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

200

150

PIN CONNECTIONS

1: Collector

2: Emitter

T^stg

–65 to +150

3: Base

4: Emitter

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)

PARAMETER

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

SYMBOL

ICBO

TEST CONDITIONS

VCB = 5 V, IE = 0

MIN.

TYP.

MAX.

0.1

UNIT

µA

IEBO

VEB = 1 V, IC = 0

0.1

µA

hFE

VCE = 3 V, IC = 30 mA^{Note 1}

VCE = 3 V, IC = 30 mA, f = 2 GHz

VCB = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz^{Note 2}

VCE = 3 V, IC = 30 mA, f = 2 GHz

VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz

150

Gain Bandwidth Product

Reverse Transfer Capacitance

Insertion Power Gain

Noise Figure

12.0

0.5

GHz

Cre

0.7

2.5

|S21e|²

8.0

10.0

1.5

Notes 1. Pulse measurement PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %

2. Collector to base capacitance measured by capacitance meter (automatic balance bridge method) when

emitter pin is connected to the guard pin.

Because this product uses high-frequency process, avoid excessive input of static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. P13081EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published February 1998 N CP(K)

Printed in Japan

1998

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与2SC5455FB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5455-FB	NEC	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-4
2SC5455-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD P
2SC5455-T1-A	RENESAS	获取价格	2SC5455-T1-A
2SC5457	TYSEMI	获取价格	High-speed switching High collector to base voltage VCBO transfer ratio hFE
2SC5457	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)
2SC5457	KEXIN	获取价格	Silicon NPN triple diffusion planar type
2SC5458	TOSHIBA	获取价格	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (SWITCHING REGULATOR AND HIGH VOLTAGE SWITCHING, DC-DC CONVERTER,
2SC5458(2-7B1A)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 800 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN, BIP
2SC5458(2-7B2A)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 800 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SC5458(2-7J1A)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 800 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN, BIP

与2SC5455FB相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5455FB

2SC5455FB 技术参数

2SC5455FB 数据手册

与2SC5455FB相关器件

与2SC5455FB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5455FB

2SC5455FB 技术参数

2SC5455FB 数据手册

与2SC5455FB相关器件

与2SC5455FB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？