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2SC5457

更新时间： 2024-02-18 05:39:43
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松下 - PANASONIC 开关
页数 文件大小 规格书
2页 39K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)

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2SC5457 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.89
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：8
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：10 MHz最大关闭时间（toff）：3300 ns
最大开启时间（吨）：1000 nsBase Number Matches：1

2SC5457 数据手册

 浏览型号2SC5457的Datasheet PDF文件第2页 
Power Transistors  
2SC5457  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
Unit: mm  
6.5±0.1  
5.3±0.1  
4.35±0.1  
2.3±0.1  
For high breakdown voltage high-speed switching  
0.5±0.1  
Features  
High-speed switching  
■
1.0±0.1  
0.1±0.05  
0.93±0.1  
●
0.5±0.1  
0.75±0.1  
●
High collector to base voltage VCBO  
2.3±0.1  
4.6±0.1  
●
Wide area of safe operation (ASO)  
●
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
U Type Package  
1
2
3
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
Unit: mm  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCES  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
6.5±0.2  
5.35  
4.35  
Collector to base voltage  
500  
500  
V
Collector to emitter voltage  
400  
V
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
7
V
0.75  
0.6  
6
A
2.3 2.3  
IC  
3
1.2  
A
Base current  
IB  
A
0.5±0.1  
Collector power TC=25°C  
30  
PC  
W
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
EIAJ:SC–63  
U Type Package (Z)  
dissipation  
Ta=25°C  
1.0  
1
2
3
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
100  
100  
Unit  
µA  
µA  
V
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
VCB = 500V, IE = 0  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
hFE2  
VEB = 5V, IC = 0  
Collector to emitter voltage  
IC = 10mA, IB = 0  
400  
10  
8
VCE = 5V, IC = 0.1A  
VCE = 2V, IC = 1.2A  
IC = 1.5A, IB = 0.3A  
IC = 1.5A, IB = 0.3A  
VCE = 10V, IC = 0.2A, f = 1MHz  
Forward current transfer ratio  
40  
1.0  
1.5  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
V
V
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
10  
MHz  
µs  
1.0  
3.0  
0.3  
IC = 1.5A, IB1 = 0.15A, IB2 = – 0.3A,  
VCC = 200V  
µs  
µs  
1
12

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