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2SC5457

更新时间： 2024-11-23 22:52:47

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松下 - PANASONIC		开关
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2页	39K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)

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2SC5457 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.89
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	最大关闭时间（toff）：	3300 ns
最大开启时间（吨）：	1000 ns	Base Number Matches：	1

2SC5457 数据手册

Power Transistors

2SC5457

Silicon NPN triple diffusion planar type

Unit: mm

6.5±0.1

5.3±0.1

4.35±0.1

2.3±0.1

For high breakdown voltage high-speed switching

0.5±0.1

Features

High-speed switching

■

1.0±0.1

0.1±0.05

0.93±0.1

●

0.5±0.1

0.75±0.1

●

High collector to base voltage V_CBO

2.3±0.1

4.6±0.1

●

Wide area of safe operation (ASO)

●

Satisfactory linearity of foward current transfer ratio h_FE

1:Base

2:Collector

3:Emitter

U Type Package

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

Unit: mm

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

6.5±0.2

5.35

4.35

Collector to base voltage

500

Collector to emitter voltage

400

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

0.75

0.6

2.3 2.3

I_C

1.2

Base current

I_B

0.5±0.1

Collector power T_C=25°C

P_C

1:Base

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–63

U Type Package (Z)

dissipation

Ta=25°C

1.0

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

100

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= 500V, I_E= 0

I_EBO

V_CEO

h_FE1

h_FE2

V_EB= 5V, I_C= 0

Collector to emitter voltage

I_C= 10mA, I_B= 0

400

V_CE= 5V, I_C= 0.1A

V_CE= 2V, I_C= 1.2A

I_C= 1.5A, I_B= 0.3A

V_CE= 10V, I_C= 0.2A, f = 1MHz

Forward current transfer ratio

1.0

1.5

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

MHz

µs

1.0

3.0

0.3

I_C= 1.5A, I_B1= 0.15A, I_B2= – 0.3A,

V_CC= 200V

µs

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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