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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC5440
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2SC5440

更新时间： 2024-01-10 11:09:15
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松下 - PANASONIC 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 43K
描述
Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output)

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2SC5440 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-94
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.82Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：60 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

2SC5440 数据手册

 浏览型号2SC5440的Datasheet PDF文件第2页 
Power Transistors  
2SC5440  
Silicon NPN triple diffusion mesa type  
For horizontal deflection output  
Unit: mm  
15.5±0.5  
3.0±0.3  
5°  
φ3.2±0.1  
Features  
■
5°  
●
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a  
glass passivation layer  
●
High-speed switching  
5°  
5°  
●
Wide area of safe operation (ASO)  
5°  
4.0  
2.0±0.2  
1.1±0.1  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
0.7±0.1  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCES  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
5.45±0.3  
5.45±0.3  
Collector to base voltage  
1500  
1500  
V
5°  
Collector to emitter voltage  
600  
V
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
5
V
1
2
3
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
25  
A
IC  
15  
7.5  
A
TOP–3E Full Pack Package  
Base current  
IB  
A
Collector power TC=25°C  
60  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
3.0  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
50  
1
Unit  
µA  
V
CB = 1000V, IE = 0  
Collector cutoff current  
VCB = 1500V, IE = 0  
VEB = 5V, IC = 0  
mA  
µA  
Emitter cutoff current  
IEBO  
hFE  
50  
12  
3
Forward current transfer ratio  
VCE = 5V, IC = 7.5A  
IC = 7.5A, IB = 1.88A  
IC = 7.5A, IB = 1.88A  
5
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
V
V
1.5  
Transition frequency  
Storage time  
fT  
tstg  
tf  
VCE = 10V, IC = 0.1A, f = 0.5MHz  
3
MHz  
µs  
2.7  
0.2  
IC = 7.5A, IB1 = 1.88A, IB2 = –3.76A  
Fall time  
µs  
1
12

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