2SC5435

更新时间： 2024-11-26 22:52:47

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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8页	61K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

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2SC5435 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	基于收集器的最大容量：	0.7 pF
集电极-发射极最大电压：	6 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	12000 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5435 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC5435

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

FEATURE

PACKAGE DIMENSIONS (in mm)

•

Ultra super mini-mold thin flat package

1.4 ± 0.05

0.8 ± 0.1

(1.4 mm × 0.8 mm × 0.59 mm: TYP.)

•

Contains same chip as 2SC5010

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

°C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

125

150

PIN CONNECTIONS

1: Emitter

Tstg

–65 to +150

2: Base

3: Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)

PARAMETER

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

SYMBOL

ICBO

TEST CONDITIONS

VCB = 5 V, IE = 0

MIN.

TYP.

MAX.

100

UNIT

IEBO

VEB = 1 V, IC = 0

100

hFE

VCE = 3 V, IC = 10 mA^{Note 1}

VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

VCB = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz^{Note 2}

VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

VCE = 3 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

140

Gain Bandwidth Product

Reverse Transfer Capacitance

Insertion Power Gain

Noise Figure

12.0

0.4

GHz

Cre

0.7

2.5

|S21e|²

7.0

8.5

1.5

Notes 1. Pulse measurement PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %

2. Collector to base capacitance measured by capacitance meter (automatic balance bridge method) when

emitter pin is connected to the guard pin.

Because this product uses high-frequency process, avoid excessive input of static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. P13078EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published February 1998 N CP(K)

Printed in Japan

1998

12 3 4 5 6 7 8

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2SC5435 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BFR340F	INFINEON	功能相似	NPN Silicon RF Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SC5435-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
2SC5435EB	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5435-EB-A	NEC	获取价格	暂无描述
2SC5435EB-T1	NEC	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,6V V(BR)CEO,30MA I(C),SMT
2SC5435EB-T1-A	NEC	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,6V V(BR)CEO,30MA I(C),SMT
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2SC5435-T1-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
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