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BFR340F

更新时间: 2024-09-27 22:39:35
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 154K
描述
NPN Silicon RF Transistor

BFR340F 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.66
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.02 A
基于收集器的最大容量:0.4 pF集电极-发射极最大电压:6 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):70
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-PDSO-F3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.06 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):14000 MHzBase Number Matches:1

BFR340F 数据手册

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BFR340F  
NPN Silicon RF Transistor  
Preliminary data  
Low voltage/ low current operation  
Transition frequency of 14 GHz  
High insertion gain  
2
1
3
Ideal for low current amplifiers and oscillators  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
BFR340F  
Marking  
FAs  
Pin Configuration  
2 = E 3 = C  
Package  
TSFP-3  
1 = B  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
6
15  
15  
2
10  
2
60  
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
mA  
mW  
°C  
I
C
Base current  
Total power dissipation  
I
B
1)  
P
tot  
T
118°C  
S
150  
-65 ... 150  
-65 ... 150  
Junction temperature  
Ambient temperature  
Storage temperature  
T
j
T
A
T
stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
Unit  
K/W  
2)  
R
530  
thJS  
1
2
T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb  
S
For calculation of R  
please refer to Application Note Thermal Resistance  
thJA  
Jul-01-2003  
1

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