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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5433-EB-A
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2SC5433-EB-A

更新时间： 2024-11-24 13:02:03
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 61K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3

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2SC5433-EB-A 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.24Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.065 A
基于收集器的最大容量：0.9 pF集电极-发射极最大电压：10 V
配置：SINGLE最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e6
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：7000 MHz
Base Number Matches：1

2SC5433-EB-A 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
2SC5433  
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION  
FEATURE  
PACKAGE DIMENSIONS (in mm)  
•
Ultra super mini-mold thin flat package  
1.4 ± 0.05  
0.8 ± 0.1  
(1.4 mm × 0.8 mm × 0.59 mm: TYP.)  
•
Contains same chip as 2SC5007  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
2
1
PARAMETER  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
3
20  
10  
1.5  
V
V
65  
mA  
mW  
°C  
°C  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PT  
125  
Tj  
150  
PIN CONNECTIONS  
1: Emitter  
Tstg  
–65 to +150  
2: Base  
3: Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)  
PARAMETER  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITIONS  
VCB = 10 V, IE = 0  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
800  
UNIT  
nA  
IEBO  
VEB = 1 V, IC = 0  
800  
nA  
hFE  
VCE = 3 V, IC = 7 mANote 1  
VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz  
VCB = 3 V, IE = 0, f = 1 MHzNote 2  
VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz  
VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz  
80  
145  
Gain Bandwidth Product  
Reverse Transfer Capacitance  
Insertion Power Gain  
Noise Figure  
fT  
4.5  
7.0  
GHz  
pF  
Cre  
0.9  
2.7  
|S21e|2  
NF  
10.0  
12.0  
1.4  
dB  
dB  
Notes 1. Pulse measurement PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %  
2. Collector to base capacitance measured by capacitance meter (automatic balance bridge method) when  
emitter pin is connected to the guard pin.  
Because this product uses high-frequency process, avoid excessive input of static electricity, etc.  
The information in this document is subject to change without notice.  
Document No. P13077EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published February 1998 N CP(K)  
Printed in Japan  
1998  
©
12345678

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与2SC5433-EB-A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5433EB-A RENESAS

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,65MA I(C),SMT
2SC5433EB-T1-A RENESAS

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,65MA I(C),SMT
2SC5433FB RENESAS

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 		RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5433-FB-A RENESAS

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
2SC5433FB-A RENESAS

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,65MA I(C),SMT
2SC5433FB-T1-A RENESAS

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,65MA I(C),SMT
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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
2SC5433-T1EB RENESAS

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 		UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
2SC5433-T1EB-A RENESAS

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
2SC5433-T1FB-A RENESAS

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil

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