Datasheet > 2SC5431-T1FB-A

2SC5431-T1FB-A

更新时间： 2024-11-24 15:28:27

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	53K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC5431-T1FB-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.64	最大集电极电流 (IC)：	0.06 A
基于收集器的最大容量：	1.2 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4300 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5431-T1FB-A 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON RF TRANSISTOR

2SC5431

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

FOR UHF TUNER OSC/MIX

FLAT-LEAD 3-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD

FEATURES

•

Contains same chip as 2SC5004

Flat-lead 3-pin thin-type ultra super minimold package

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

Supplying Form

2SC5431

50 pcs (Non reel)

3 kpcs/reel

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 3 (collector) face the perforation side of the tape

2SC5431-T1

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

The unit sample quantity is 50 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= +25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Ratings

Unit

°C

tot ^Note

100

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T^j

125

T^stg

−65 to +125

Note Free air

Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that

this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices

representative for availability and additional information.

Document No. PU10099EJ01V0DS (1st edition)

The mark • shows major revised points.

(Previous No. P13075EJ1V0DS00)

Date Published February 2002 CP(K)

Printed in Japan

NEC Corporation 1998

NEC Compound Semiconductor Devices 2002

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与2SC5431-T1FB-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5432	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
2SC5432(NE856M03)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5432-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5432-EB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5432-EB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5432EB-A	NEC	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR
2SC5432EB-T1	NEC	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR
2SC5432EB-T1-A	NEC	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR
2SC5432-FB	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
2SC5432-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic

与2SC5431-T1FB-A相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

39
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

31
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

59
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

55

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5431-T1FB-A

2SC5431-T1FB-A 技术参数

2SC5431-T1FB-A 数据手册

与2SC5431-T1FB-A相关器件

与2SC5431-T1FB-A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5431-T1FB-A

2SC5431-T1FB-A 技术参数

2SC5431-T1FB-A 数据手册

与2SC5431-T1FB-A相关器件

与2SC5431-T1FB-A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？