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2SC5415A_12

更新时间： 2022-05-19 09:43:23

品牌	Logo	应用领域
三洋 - SANYO		放大器
页数	文件大小	规格书
8页	398K
描述
High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications

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2SC5415A

Ordering number : ENA1080A

SANYO Sem iconductors

DATA S HEET

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

High-Frequency Low-Noise

Ampliﬁer Applications

: S21e ²=9dB typ (f=1GHz)

High cut-off frequency : f =6.7GHz typ

2SC5415A

Features

•

High gain

⏐ ⏐

T

•

Speciﬁcations

Absolute Maximum Ratings

at Ta=25°C

Parameter

Collector-to-Base Voltage

Collector-to-Emitter Voltage

Emitter-to-Base Voltage

Collector Current

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

V

V

20

12

CBO

V

V

CEO

V

2

V

EBO

I

C

100

800

150

mA

mW

Collector Dissipation

P

When mounted on ceramic substrate (250mm²0.8mm)

×

C

Junction Temperature

Storage Temperature

Tj

C

C

°

Tstg

--55 to +150

°

Package Dimensions

Product & Package Information

unit : mm (typ)

• Package

: PCP

7007B-004

• JEITA, JEDEC

: SC-62, SOT-89, TO-243

•

Minimum Packing Quantity : 1,000 pcs./reel

Top View

2SC5415AE-TD-E

2SC5415AF-TD-E

4.5

1.6

Packing Type: TD

Marking

1.5

TD

RANK

1

2

3

0.4

0.5

0.4

1.5

3.0

Electrical Connection

2

0.75

1

3

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

Bottom View

SANYO : PCP

http://www.sanyosemi.com/en/network/

90512 TKIM/93009AB TKIM TC-00002100 No. A1080-1/8

12 3 4 5 6 7 8

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与2SC5415A_12相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC5415AE-TD-E	ONSEMI	RF Transistor 12V, 100mA, fT=6.7GHz, NPN Single PCP	获取价格
2SC5415AF-TD-E	ONSEMI	RF Transistor 12V, 100mA, fT=6.7GHz, NPN Single PCP	获取价格
2SC5415E	SANYO	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-243VAR	获取价格
2SC5415F	SANYO	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-243VAR	获取价格
2SC5416	SANYO	Inverter Lighting Applications	获取价格
2SC5416	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格

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