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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC5376FV
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2SC5376FV

更新时间： 2024-11-16 12:35:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关放大器
页数 文件大小 规格书
5页 161K
描述
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications For Muting and Switching Applications

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2SC5376FV 技术参数

生命周期：End Of Life包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.44
最大集电极电流 (IC)：0.4 A集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：300
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：130 MHzBase Number Matches：1

2SC5376FV 数据手册

 浏览型号2SC5376FV的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC5376FV的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC5376FV的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SC5376FV的Datasheet PDF文件第5页 
2SC5376FV  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type  
2SC5376FV  
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
For Muting and Switching Applications  
•
•
Low Collector Saturation Voltage:  
V
= 15 mV (typ.)  
CE (sat) (1)  
1.2±0.05  
0.8±0.05  
@I = 10 mA/I = 0.5 mA  
C
B
High Collector Current: I = 400 mA (max)  
C
1
2
3
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
15  
12  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
5
V
1.BASE  
I
400  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
VESM  
2.EMITTER  
3.COLLECTOR  
Base current  
I
50  
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
150 *  
150  
C
JEDEC  
―
―
T
j
JEITA  
T
stg  
−55~150  
TOSHIBA  
2-1L1A  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 1.5 mg (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
* : Mounted on FR4 board (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6mmt)  
0.5mm  
0.45mm  
0.45mm  
0.4mm  
Marking  
Type Name  
h
Classification  
FE  
F A  
1
2007-11-01  
12345

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与2SC5376FV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5376FV-A TOSHIBA

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 		Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications For Muting and Switching Applicatio
2SC5376FV-B TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 400 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP Genera
2SC5376FV-B(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,400MA I(C),SOT-416VAR
2SC5378 PANASONIC

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