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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 550 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5382_15 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC5382_2015 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC5383 | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, NPN, Silicon, ULTRA SUPER MINI P |
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| 2SC5383 | ISAHAYA |
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FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(Ultra super mini type) |
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| 2SC5383_10 | ISAHAYA |
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FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
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| 2SC5383F | ISAHAYA |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SC5383G | ISAHAYA |
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Transistor |
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| 2SC5384 | ISAHAYA |
获取价格 |
Transistor For High Frequency Amplify, Medium Frequency Amplify Application Silicon NPN Ep |
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| 2SC5384 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, NPN, Silicon, ULTRA SUPER MINI |
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| 2SC5384_10 | ISAHAYA |
获取价格 |
For High Frequency Amplify, Medium Frequency Amplify Application Silicon NPN Epitaxial Typ |
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