Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5005-FB

2SC5005-FB

更新时间： 2024-11-23 13:04:19

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	57K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3

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2SC5005-FB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
基于收集器的最大容量：	0.9 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5500 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

2SC5005-FB 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC5005

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The 2SC5005 is a low supply voltage transistor designed for UHF

OSC/MIX.

in millimeters

It is suitable for a high density surface mount assembly since the

transistor has been applied ultra super mini mold package.

1.6 ± 0.1

0.8 ± 0.1

FEATURES

• High fT : 5.5 GHz TYP. (@ VCE = 5 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz)

• Low Cre : 0.7 pF TYP. (@ VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz)

• Ultra Super Mini Mold Package. (1.6 mm × 0.8 mm)

ORDERING INFORMATION

QUANTITY

50 pcs./unit

3 kpcs./Reel

PACKING STYLE

PART NUMBER

2SC5005

2SC5005 – T1

Embossed tape 8 mm wide.

Pin 3 (Collector) face to

perforation side of the tape.

* Please contact with responsible NEC person, if you require evaluation

sample. Unit sample quantity shall be 50 pcs.

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

2. Base

3. Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 °C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

V^CBO

V^CEO

VEBO

°C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^T

100

125

Tstg

–55 to +125

Document No. P10384EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TD-2429)

Date Published July 1995

Printed in Japan

1995

1992

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5005-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC5005-T1	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
2SC5005-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC5005-T1FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC5006	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
2SC5006	UTC	获取价格	NPN
2SC5006(NE85619)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5006-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5006-FB-A	NEC	获取价格	暂无描述
2SC5006T	BL Galaxy Electrical	获取价格	12V,0.1A,Medium Power NPN Bipolar Transistor

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