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2SC5007-FB-A

更新时间： 2024-09-27 21:20:03

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	53K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3

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2SC5007-FB-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.065 A	基于收集器的最大容量：	0.9 pF
集电极-发射极最大电压：	10 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	7000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5007-FB-A 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC5007

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD

DESCRIPTION

The 2SC5007 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low noise and small signal amplifiers from

VHF band to UHF band. Low noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range

and excellent linearity. This is achieved by direct nitride passivated base surface, process (NEST2 process) which

is an NEC proprietary fabrication technique.

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

•

Low Voltage Use.

in millimeters

High fT

Low C^re

Low NF

: 7.0 GHz TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz)

: 0.45 pF TYP. (@ VCE = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz)

: 1.4 dB TYP. (@ V^CE= 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz)

1.6 ± 0.1

0.8 ± 0.1

High |S21e|²: 12 dB TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz)

Ultra Super Mini Mold Package.

ORDERING INFORMATION

PART

QUANTITY

NUMBER

PACKING STYLE

2SC5007

50 pcs./Unit

3 kpcs./Reel

Embossed tape 8 mm wide.

Pin3 (Collector) face to perforation side

of the tape.

2SC5007-T1

* PleasecontactwithresponsibleNECperson, ifyourequireevaluation

1. Emitter

2. Base

sample. Unit sample quantity shall be 50 pcs.

3. Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

VCBO

VCEO

V^EBO

1.5

˚ C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

125

T^j

150

Tstg

–65 to +150

Document No. P10386EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TD-2400)

Date Published July 1995 P

Printed in Japan

1993

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5007-T1	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
2SC5007-T1	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
2SC5007-T1-A	RENESAS	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
2SC5007-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
2SC5007-T1-FB	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
2SC5007-T1FB-A	NEC	获取价格	暂无描述
2SC5008	RENESAS	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
2SC5008	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
2SC5008(NE68019)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5008-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SU

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