Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5009-T1FB

2SC5009-T1FB

更新时间： 2024-01-16 16:36:46

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	61K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3

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2SC5009-T1FB 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.01 A	基于收集器的最大容量：	0.5 pF
集电极-发射极最大电压：	6 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	75	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	12000 MHz

2SC5009-T1FB 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC5009

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD

DESCRIPTION

The 2SC5009 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use

in low noise and small signal amplifiers from VHF band to L band. Low

noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide

dynamic range and excellent linearity. This is achieved by direct nitride

passivated base surface process (NEST3 process) which is an NEC

proprietary new fabrication technique.

PACKAGE DIMENSIONS

in milimeters

1.6 ± 0.1

0.8 ± 0.1

FEATURES

•

Low Voltage Use.

High f^T

Low Cre

Low NF

: 12.0 GHz TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz)

: 0.3 pF TYP. (@ VCE = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz)

: 2.5 dB TYP. (@ V^CE= 3 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz)

High |S^21e|²: 8.5 dB TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz)

Ultra Super Mini Mold Package.

ORDERING INFORMATION

PART

1. Emitter

2. Base

QUANTITY

NUMBER

PACKING STYLE

Embossed tape 8 mm wide.

Pin 3 (Collector) face to perforation side

of the tape.

2SC5009

50 pcs./Unit

3 kpcs./Reel

3. Collector

2SC5009-T1

* PleasecontactwithresponsibleNECperson, ifyourequireevaluation

sample. Unit sample quantity shall be 50 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

VCBO

VCEO

VEBO

I^C

˚C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

150

T^stg

–65 to +150

Document No. P10388EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TD-2430)

Date Published July 1995 P

Printed in Japan

1993

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5010	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
2SC5010	RENESAS	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
2SC5010(NE68519)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5010-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
2SC5010-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
2SC5010-T1	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
2SC5010-T1	RENESAS	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
2SC5010-T1-A/YFB	RENESAS	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5010-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
2SC5010-T1-FB	RENESAS	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3

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