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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.67 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 0.9 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 6500 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5011-EB-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| 2SC5011EB-A | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-343R |
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| 2SC5011FB | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| 2SC5011-FB | RENESAS |
获取价格 |
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4 |
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| 2SC5011-FB-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| 2SC5011FB-A | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-343R |
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| 2SC5011FB-T1 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-343R |
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| 2SC5011FB-T1-A | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-343R |
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| 2SC5011GB | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| 2SC5011-GB | RENESAS |
获取价格 |
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4 |
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