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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5011-T2
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2SC5011-T2

更新时间： 2024-11-14 22:35:55
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 54K
描述
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD

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2SC5011-T2 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.62
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：0.9 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：6500 MHzBase Number Matches：1

2SC5011-T2 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
2SC5011  
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR  
4 PINS SUPER MINI MOLD  
FEATURES  
•
•
Small Package  
PACKAGE DIMENSIONS  
High Gain Bandwidth Product  
(fT = 6.5 GHz TYP.)  
in millimeters  
2.1 ± 0.2  
•
•
Low Noise, High Gain  
Low Voltage Operation  
1.25 ± 0.1  
+0.1  
0.3  
–0.05  
(LEADS 2, 3, 4)  
2
1
3
4
ORDERING INFORMATION  
PART  
QUANTITY  
NUMBER  
PACKING STYLE  
+0.1  
–0.05  
0.4  
2SC5011-T1  
3 Kpcs/Reel.  
Embossed tape 8 mm wide.  
Pin3 (Base), Pin4 (Emitter) face to  
perforation side of the tape.  
+0.1  
–0.05  
0.15  
0 to 0.1  
2SC5011-T2  
3 Kpcs/Reel.  
Embossed tape 8 mm wide.  
Pin1 (Collector), Pin2 (Emitter) face  
to perforation side of the tape.  
PIN CONNECTIONS  
1. Collector  
2. Emitter  
3. Base  
*
Please contact with responsible NEC person, if you require  
evaluation sample. It is available for 50 pcs. one unit sample lot.  
(Part No.: 2SC5011)  
4. Emitter  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
20  
V
V
12  
3
100  
V
mA  
mW  
˚C  
˚C  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PT  
150  
Tj  
150  
Tstg  
–65 to +150  
Caution; Electrostatic Sensitive Device.  
Document No. P10399EJ2V0DS00 (2nd edition)  
(Previous No. TD-2411)  
Date Published July 1995 P  
Printed in Japan  
1993  
©
12345678

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