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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.62 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.9 pF | 集电极-发射极最大电压： | 12 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 6500 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5011-T1-GB | RENESAS |
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UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4 |
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| 2SC5011-T1GB-A | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| 2SC5011-T2 | NEC |
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HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
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| 2SC5011-T2EB | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
|
| 2SC5011-T2FB | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
|
| 2SC5011-T2GB | NEC |
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暂无描述 |
|
| 2SC5012 | NEC |
获取价格 |
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
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| 2SC5012(NE68118) | ETC |
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Discrete |
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| 2SC5012-EB | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, SUPER MINIMOLD P |
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| 2SC5012-EB-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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