Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5011-T1FB-A

2SC5011-T1FB-A

更新时间： 2024-02-14 22:10:37

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体放大器晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	54K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4

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2SC5011-T1FB-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SUPER MINIMOLD PACKAGE-4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	0.9 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	6500 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5011-T1FB-A 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC5011

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

4 PINS SUPER MINI MOLD

FEATURES

•

Small Package

PACKAGE DIMENSIONS

High Gain Bandwidth Product

(f^T= 6.5 GHz TYP.)

in millimeters

2.1 ± 0.2

•

Low Noise, High Gain

Low Voltage Operation

1.25 ± 0.1

+0.1

0.3

–0.05

(LEADS 2, 3, 4)

ORDERING INFORMATION

PART

QUANTITY

NUMBER

PACKING STYLE

+0.1

–0.05

0.4

2SC5011-T1

3 Kpcs/Reel.

Embossed tape 8 mm wide.

Pin3 (Base), Pin4 (Emitter) face to

perforation side of the tape.

+0.1

–0.05

0.15

0 to 0.1

2SC5011-T2

3 Kpcs/Reel.

Embossed tape 8 mm wide.

Pin1 (Collector), Pin2 (Emitter) face

to perforation side of the tape.

PIN CONNECTIONS

1. Collector

2. Emitter

3. Base

Please contact with responsible NEC person, if you require

evaluation sample. It is available for 50 pcs. one unit sample lot.

(Part No.: 2SC5011)

4. Emitter

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

VCBO

V^CEO

VEBO

I^C

100

˚C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

150

T^stg

–65 to +150

Caution; Electrostatic Sensitive Device.

Document No. P10399EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TD-2411)

Date Published July 1995 P

Printed in Japan

1993

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5011-T1GB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5011-T1-GB	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4
2SC5011-T1GB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5011-T2	NEC	获取价格	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD
2SC5011-T2EB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5011-T2FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5011-T2GB	NEC	获取价格	暂无描述
2SC5012	NEC	获取价格	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD
2SC5012(NE68118)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5012-EB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, SUPER MINIMOLD P

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