2SC5006

更新时间： 2024-11-18 22:35:55

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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10页	64K
描述
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD

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2SC5006 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	1.5 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4500 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5006 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC5006

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD

DESCRIPTION

The 2SC5006 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low noise and small signal amplifiers from

VHF band to UHF band. Low noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range

and excellent linearity. This is achieved by direct nitride passivated base surface, process (NEST2 process) which

is an NEC proprietary fabrication technique.

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

•

Low Voltage Use.

in millimeters

High fT

Low C^re

Low NF

: 4.5 GHz TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz)

: 0.7 pF TYP. (@ VCE = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz)

: 1.2 dB TYP. (@ V^CE= 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz)

1.6 ± 0.1

0.8 ± 0.1

High |S21e|²: 9 dB TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz)

Ultra Super Mini Mold Package.

ORDERING INFORMATION

PART

QUANTITY

NUMBER

PACKING STYLE

2SC5006

50 pcs./Unit

3 kpcs./Reel

Embossed tape 8 mm wide.

Pin3 (Collector) face to perforation side

of the tape.

2SC5006-T1

* PleasecontactwithresponsibleNECperson, ifyourequireevaluation

1. Emitter

2. Base

sample. Unit sample quantity shall be 50 pcs.

3. Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

VCBO

VCEO

V^EBO

3.0

100

˚ C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

125

T^j

150

Tstg

–60 to +150

Document No. P10385EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TD-2399)

Date Published July 1995 P

Printed in Japan

1993

12 3 4 5 6 7...10

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2SC5006 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NE68819-T1-A	CEL	功能相似	SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

与2SC5006相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5006(NE85619)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5006-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5006-FB-A	NEC	获取价格	暂无描述
2SC5006T	BL Galaxy Electrical	获取价格	12V,0.1A,Medium Power NPN Bipolar Transistor
2SC5006-T1	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
2SC5006-T1-A	RENESAS	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
2SC5006-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5006-T1-FB	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
2SC5006-T1FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5007	RENESAS	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD

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