Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5006-T1FB

2SC5006-T1FB

更新时间： 2024-11-19 13:04:19

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	64K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3

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2SC5006-T1FB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	1.5 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4500 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5006-T1FB 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC5006

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD

DESCRIPTION

The 2SC5006 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low noise and small signal amplifiers from

VHF band to UHF band. Low noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range

and excellent linearity. This is achieved by direct nitride passivated base surface, process (NEST2 process) which

is an NEC proprietary fabrication technique.

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

•

Low Voltage Use.

in millimeters

High fT

Low C^re

Low NF

: 4.5 GHz TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz)

: 0.7 pF TYP. (@ VCE = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz)

: 1.2 dB TYP. (@ V^CE= 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz)

1.6 ± 0.1

0.8 ± 0.1

High |S21e|²: 9 dB TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz)

Ultra Super Mini Mold Package.

ORDERING INFORMATION

PART

QUANTITY

NUMBER

PACKING STYLE

2SC5006

50 pcs./Unit

3 kpcs./Reel

Embossed tape 8 mm wide.

Pin3 (Collector) face to perforation side

of the tape.

2SC5006-T1

* PleasecontactwithresponsibleNECperson, ifyourequireevaluation

1. Emitter

2. Base

sample. Unit sample quantity shall be 50 pcs.

3. Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

VCBO

VCEO

V^EBO

3.0

100

˚ C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

125

T^j

150

Tstg

–60 to +150

Document No. P10385EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TD-2399)

Date Published July 1995 P

Printed in Japan

1993

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5006-T1-FB	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
2SC5006-T1FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5007	RENESAS	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
2SC5007	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
2SC5007(NE68119)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5007-FB	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
2SC5007-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
2SC5007-T1	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
2SC5007-T1	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
2SC5007-T1-A	RENESAS	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD

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