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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5005-T1FB
2SC5005-T1FB PDF预览

2SC5005-T1FB

更新时间： 2024-02-24 15:25:18
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 57K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3

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2SC5005-T1FB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.72最大集电极电流 (IC)：0.03 A
基于收集器的最大容量：0.9 pF集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e6
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：5500 MHz
Base Number Matches：1

2SC5005-T1FB 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
2SC5005  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR  
3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD  
DESCRIPTION  
PACKAGE DIMENSIONS  
The 2SC5005 is a low supply voltage transistor designed for UHF  
OSC/MIX.  
in millimeters  
It is suitable for a high density surface mount assembly since the  
transistor has been applied ultra super mini mold package.  
1.6 ± 0.1  
0.8 ± 0.1  
2
FEATURES  
• High fT : 5.5 GHz TYP. (@ VCE = 5 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz)  
• Low Cre : 0.7 pF TYP. (@ VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz)  
• Ultra Super Mini Mold Package. (1.6 mm × 0.8 mm)  
3
1
ORDERING INFORMATION  
QUANTITY  
50 pcs./unit  
3 kpcs./Reel  
PACKING STYLE  
PART NUMBER  
2SC5005  
2SC5005 – T1  
Embossed tape 8 mm wide.  
Pin 3 (Collector) face to  
perforation side of the tape.  
* Please contact with responsible NEC person, if you require evaluation  
sample. Unit sample quantity shall be 50 pcs.  
PIN CONNECTIONS  
1. Emitter  
2. Base  
3. Collector  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 °C)  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
20  
V
V
12  
3
30  
V
mA  
mW  
°C  
°C  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PT  
100  
Tj  
125  
Tstg  
–55 to +125  
Document No. P10384EJ2V0DS00 (2nd edition)  
(Previous No. TD-2429)  
Date Published July 1995  
Printed in Japan  
1995  
©
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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