2SC3545

更新时间： 2024-09-17 22:39:59

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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描述
UHF OSCILLTOR AND MIXER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD

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2SC3545 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	1 pF	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

2SC3545 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC3545

UHF OSCILLATOR AND MIXER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

MINI MOLD

DESCRIPTION

The 2SC3545 is an NPN silicon epitaxial transistor intended for use as

UHF oscillator and mixer in a tuner of a TV receiver.

PACKAGE DIMENSIONS

(Units: mm)

The device features stable oscillation and small frequency drift against

any change of the supply voltage and the ambient temperature.

It is designed for use in small type equipments especially

recommended for Hybrid Integrated Circuit and other applications.

2.8±0.2

1.5

+0.1

−0.15

0.65

FEATURES

•

High Gain Bandwidth Procuct; f^T= 2 000 MHz TYP.

r^b’b= 4 ps TYP.

Low Collector to Base Time Constant; C^C

Low Feedback Capacitance; C^re= 0.48 pF TYP.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 C)

Marking

Maximum Voltages and Current

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

3.0

PIN CONNECTIONS

Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation

Maximum Temperature

Junction Temperature

Storage Temperature

1. Emitter

2. Base

3. Collector

P^T

150

T^j

125

T^stg

65 to +125

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25 C)

CHARACTERISTIC

Collector Cutoff Current

DC Current Gain

SYMBOL

MIN.

TYP.

100

MAX.

0.1

UNIT

TEST CONDITIONS

I^CBO

V^CB= 12 V, I^E= 0

h^FE

250

0.5

V^CE= 10 V, I^C= 5.0 mA

I^C= 10 mA, I^B= 1.0 mA

V^CE= 10 V, I^E= 5.0 mA

Collector Saturation Voltage

Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

V^CE(sat)

f^T

MHz

1.3

2.0

0.48

C^ob

1.0

V^CB= 10 V, I^E= 0, f = 1.0 MHz

V^CE= 10 V, I^E= 5.0 mA, f = 31.9 MHz

r^b’b

Collector to Base Time Constant

C^C

h^FEClassification

Class

Marking

h^FE

M/P *

T42

L/Q *

T43

K/R *

T44

50 to 100

70 to 140

120 to 250

* Old Specification / New Specification

Document No. P10358EJ2V1DS00 (2nd edition)

Date Published March 1997 N

Printed in Japan

1984

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3545K	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SOT-346
2SC3545-K	NEC	获取价格	暂无描述
2SC3545L	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SOT-346
2SC3545-L	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC3545-LT42	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC3545-LT44	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC3545M	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SOT-346
2SC3545-M	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC3545P	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SOT-346
2SC3545-P	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili

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