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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.7 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 0.2 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.25 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3325YTE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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| 2SC3325YTE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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| 2SC3326 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATIONS) |
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| 2SC3326 | TYSEMI |
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High emitter-base voltage: VEBO = 25 V (min). High DC current gain: hFE = 200 1200. |
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| 2SC3326 | KEXIN |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC3326 | FOSHAN |
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SOT-23 |
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| 2SC3326_07 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Muting and Switching Applications |
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| 2SC3326A | TOSHIBA |
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For Muting and Switching Applications |
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| 2SC3326-A(T5LFT) | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SC3326-A(TE85L,F) | TOSHIBA |
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Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 3-Pin TO-236 T/R |
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