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| 生命周期： | End Of Life | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A | 基于收集器的最大容量： | 7 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3327B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SPAK |
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| 2SC3327-B | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SC3328 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) |
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| 2SC3328 | FOSHAN |
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TO-92LM |
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| 2SC3328_06 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) |
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| 2SC3328O | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92VAR |
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| 2SC3328-O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92MOD, 3 PIN, BIP General P |
|
| 2SC3328-O(TE6,F,M) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,80V V(BR)CEO,2A I(C),TO-92VAR |
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| 2SC3328TPE6 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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| 2SC3328Y | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92VAR |
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