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2SC3326ATE85L

更新时间： 2024-11-13 14:39:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 216K
描述
TRANSISTOR 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Small Signal

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2SC3326ATE85L 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.7
最大集电极电流 (IC)：0.3 A基于收集器的最大容量：7 pF
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：30 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

2SC3326ATE85L 数据手册

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2SC3326  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)  
2SC3326  
For Muting and Switching Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
•
High emitter-base voltage: V  
= 25 V (min)  
EBO  
High reverse h : Reverse h  
= 150 (typ.) (V  
= −2 V, I = −4 mA)  
CE C  
FE  
FE  
Low on resistance: R  
= 1 Ω (typ.) (I = 5 mA)  
B
ON  
High DC current gain: h  
Small package  
= 200~1200  
FE  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
50  
20  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
25  
V
I
300  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
60  
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
150  
C
JEDEC  
JEITA  
TO-236MOD  
T
j
125  
SC-59  
T
stg  
−55~125  
TOSHIBA  
2-3F1A  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 0.012 g (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Marking  
1
2007-11-01  
12345

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与2SC3326ATE85L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3326B ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SC-59
2SC3326-B TOSHIBA

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 		For Muting and Switching Applications
2SC3326-B(T5LKEHIF TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC3326-B(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 3-Pin S-Mini T/R
2SC3326-B,LF(T TOSHIBA

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 		暂无描述
2SC3326BTE85R TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma
2SC3326TE85L TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma
2SC3326TE85R TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma
2SC3327 TOSHIBA

获取价格

 		NPN EPITAXIAL TYPE (FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATIONS)
2SC3327A ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SPAK

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