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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| Factory Lead Time： | 12 weeks | 风险等级： | 5.81 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A | 基于收集器的最大容量： | 7 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 350 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 0.15 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz | VCEsat-Max： | 0.1 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3326_07 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Muting and Switching Applications |
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| 2SC3326A | TOSHIBA |
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For Muting and Switching Applications |
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| 2SC3326-A(T5LFT) | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SC3326-A(TE85L,F) | TOSHIBA |
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Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 3-Pin TO-236 T/R |
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| 2SC3326-ALF(T | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2SC3326ATE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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| 2SC3326B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SC-59 |
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| 2SC3326-B | TOSHIBA |
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For Muting and Switching Applications |
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| 2SC3326-B(T5LKEHIF | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC3326-B(TE85L,F) | TOSHIBA |
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Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 3-Pin S-Mini T/R |
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