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2SC3325YTE85R

更新时间： 2024-01-24 09:21:22
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 133K
描述
TRANSISTOR 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Small Signal

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2SC3325YTE85R 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.71
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
VCEsat-Max：0.25 VBase Number Matches：1

2SC3325YTE85R 数据手册

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2SC3325  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)  
2SC3325  
Audio Frequency Low Power Amplifier Applications  
Unit: mm  
Driver Stage Amplifier Applications  
Switching Applications  
•
•
•
•
Excellent h  
linearity: h  
= 25 (min) (V = 6 V, I = 400 mA)  
CE C  
FE  
FE (2)  
High voltage: V  
= 50 V (min)  
CEO  
Complementary to 2SA1313  
Small package  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
50  
50  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
5
V
I
500  
50  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
JEDEC  
JEITA  
TO-236MOD  
Base current  
I
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
200  
150  
−55~150  
SC-59  
C
T
j
TOSHIBA  
2-3F1A  
T
stg  
Weight: 0.012 g (typ.)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Marking  
1
2007-11-01  
1234

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与2SC3325YTE85R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3326 TOSHIBA

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 		NPN EPITAXIAL TYPE (FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATIONS)
2SC3326 TYSEMI

获取价格

 		High emitter-base voltage: VEBO = 25 V (min). High DC current gain: hFE = 200 1200.
2SC3326 KEXIN

获取价格

 		Silicon NPN Epitaxial
2SC3326 FOSHAN

获取价格

 		SOT-23
2SC3326_07 TOSHIBA

获取价格

 		Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Muting and Switching Applications
2SC3326A TOSHIBA

获取价格

 		For Muting and Switching Applications
2SC3326-A(T5LFT) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
2SC3326-A(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 3-Pin TO-236 T/R
2SC3326-ALF(T TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
2SC3326ATE85L TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma

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