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2SC3281-R

更新时间： 2024-11-23 14:32:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 340K
描述
TRANSISTOR POWER TRANSISTOR, 2-21F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power

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2SC3281-R 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.78外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：200 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：55
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：150 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30 MHz
VCEsat-Max：3 VBase Number Matches：1

2SC3281-R 数据手册

 浏览型号2SC3281-R的Datasheet PDF文件第2页 
TOSHIBA  
Discrete Semiconductors  
2SC3281  
Transistor  
Unit in mm  
Silicon NPN Triple Diffused Type  
Power Amplifier Applications  
Features  
• Complementary to 2SA1302  
• Recommended for 100W High Fidelity Audio Frequency  
Amplifier Output Stage  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL RATING UNIT  
V
200  
200  
5
V
V
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
CEO  
V
V
EBO  
I
15  
A
C
Base Current  
I
1.5  
150  
A
B
Collector PowerDissipation  
P
W
C
(Tc = 25°C)  
Junction Temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
Storage Temperature Range  
T
-55 ~ 150  
stg  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITION  
Collector Cut-off Current  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
I
V
V
= 200V, I = 0  
–
–
–
–
5.0  
5.0  
–
µA  
µA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
I
= 5V, I = 0  
C
EBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
V
I = 50mA, I = 0  
200  
55  
35  
–
–
(BR) CEO  
C
B
h
V
= 5V, I = 1mA  
–
160  
–
FE(1) (Νοte)  
CE  
CE  
C
DC Current Gain  
h
V
= 5V, I = 8A  
60  
0.40  
1.0  
30  
270  
FE(2)  
C
Saturation Voltage Collector-Emitter  
Base-Emitter Voltage  
V
I = 10A, I = 1A  
3.0  
1.5  
–
V
V
CE(sat)  
C
B
V
V
= 5V, I = 8A  
–
BE  
CE  
CE  
CB  
C
Transition Frequency  
f
V
V
= 5V, I = 1A  
–
MHz  
pF  
T
C
Collector Output Capacitance  
C
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
–
–
ob  
E
Note: h (1) Classification R : 0: 55 ~ 110, 0 : 80 ~ 160  
FE  
TOSHIBA CORPORATION  
1/2  
12

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