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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3286-M | NEC |
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SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2SC3292 | SANYO |
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For Switching Regulators |
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| 2SC3293 | SANYO |
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Driver Applications |
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| 2SC3293-CB | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SC3293-RA | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SC3293-RB | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SC3293-YA | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SC3294 | SANYO |
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Driver Applications |
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| 2SC3295 | TYSEMI |
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High hFE: hFE = 600 3600. High voltage: VCEO = 50 V. High voltage: VCEO = 50 V. |
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| 2SC3295 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIALTYPE (AUDIO FREQUENC AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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