Datasheet > 2SC3296_2014

2SC3296_2014

更新时间： 2024-11-24 01:19:43

品牌	Logo	应用领域
锦美电子 - JMNIC		/
页数	文件大小	规格书
4页	201K
描述
Silicon NPN Power Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC3296_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3296

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·Wide area of safe operation

·Complement to type 2SA1304

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Vertical output applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

150

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

1.5

I_B

Base current

0.5

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_j

T_stg

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与2SC3296_2014相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3297	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC3297	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC3297	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC3297_15	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC3297_2014	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC3298	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC3298	TOSHIBA	获取价格	SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
2SC3298	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC3298	JMNIC	获取价格	Silicon Power Transistors
2SC3298_15	JMNIC	获取价格	Silicon Power Transistors