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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.76 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 200 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3298BY | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-220VAR |
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| 2SC3298B-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1.5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| 2SC3298O | ISC |
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Transistor |
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| 2SC3298O | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SC3298Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| 2SC3299 | TOSHIBA |
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SILICON NPNEPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS) |
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| 2SC3299 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3299 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3299Y | ISC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SC3300 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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